安捷伦科技与史丹佛大学合作新型奈米元件
来源:广州浩隆电子作者:jinian发布时间:2009-11-22 17:52浏览: 次
安捷伦科技(Agilent Technologies)日前宣布与史丹佛大学合作进行一项研究计划,目的在于结合扫描式探针显微镜(scanning probe microscope,SPM)与原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,以探索新型的奈米元件。
这项研究计划将有助於快速制作出奈米元件的原型并量测其特性,就10nm以下的精细度而言是一大突破,可进行广泛的应用。其重点在於整合ALD(可达到厚度為次奈米精确度的一种薄膜技术)与具有奈米级剖面解析度(lateral resolution)的SPM,以便将扫描式探针技术延伸应用在原型制作和元件制作上。
史丹佛大学机械工程系教授兼系主任Fritz Prinz表示:新颖的奈米结构将可直接在这个独特的SPM-ALD工具中製作出来并量测其特性,以快速做出各种新一代元件的原型。SPM-ALD工具可让我们运用存在小尺寸中的量子侷限效应(quantum confinement effect)来建构元件,这样的尺寸大小无法使用传统的微影(lithography)技术来探量,这些元件只能使用具有超高空间解析度的制程工具来建构。
过去,电子元件的效能一直受到传统制程方法(如光学和电子束微影技术)的限制,无法提供比20nm小很多的特徵解析度(feature resolution)。然而,在10nm或更小尺寸的元件中,因电子局限产生的量子机械效应所导致的现象从品质上来讲,与较大元件中所看到的极为不同。量子局限效应的运用预计将成为电子元件新的设计典范。
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